SI3459BDV-T1-GE3
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Teilenummer | SI3459BDV-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI3459BDV-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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SI3459BDV-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI3459BDV-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SI3459BDV-T1-GE3, SI3459BDV-T1-GE3 Datenblatt
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SI3459BDV-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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