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SI3401A-TP

SI3401A-TP

Nur als Referenz

Teilenummer SI3401A-TP
PNEDA Teilenummer SI3401A-TP
Beschreibung P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
Hersteller Micro Commercial Co
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SI3401A-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI3401A-TP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI3401A-TP, SI3401A-TP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 382,87 KB)
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SI3401A-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.2A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)400mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

345mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 1.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTF3055L175T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223 (TO-261)

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.47W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-Microfoot

Paket / Fall

4-XFBGA, CSPBGA

MCH3333A-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

215mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

791pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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