Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI2334DS-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI2334DS-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.606
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI2334DS-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI2334DS-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI2334DS-T1-GE3, SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 235,82 KB)
PDFSI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI2334DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI2334DS-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI2334DS-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI2334DS-T1-GE3
  • SI2334DS-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI2334DS-T1-GE3 Stock

  • SI2334DS-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI2334DS-T1-GE3
  • SI2334DS-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI2334DS-T1-GE3 Price
  • SI2334DS-T1-GE3 Distributor

SI2334DS-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds634pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

TSM900N10CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVB150N65S3F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 540µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1999pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

192W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK-3 (TO-263)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STP410N4F7AG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

365W (Tc)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

NTHD2110TT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1072pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Hersteller

IXYS

Serie

Polar™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1207pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

B160B-13-F

B160B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB

WM8962ECSN/R

WM8962ECSN/R

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

CMSH1-40 TR13

CMSH1-40 TR13

Central Semiconductor Corp

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

AD8031ARZ

AD8031ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

IXYS

IGBT 3000V 30A 160W TO268

LL4148

LL4148

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80

TAJE687K006RNJ

TAJE687K006RNJ

CAP TANT 680UF 10% 6.3V 2917

IRFR5305PBF

IRFR5305PBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

IC MONITOR VOLT MPU 14-SOIC

AD5676RBRUZ

AD5676RBRUZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 20TSSOP