SI2333CDS-T1-GE3
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Teilenummer | SI2333CDS-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI2333CDS-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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SI2333CDS-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI2333CDS-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SI2333CDS-T1-GE3, SI2333CDS-T1-GE3 Datenblatt
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SI2333CDS-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1225pF @ 6V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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