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SI1553DL-T1

SI1553DL-T1

Nur als Referenz

Teilenummer SI1553DL-T1
PNEDA Teilenummer SI1553DL-T1
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 6.912
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI1553DL-T1 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1553DL-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI1553DL-T1, SI1553DL-T1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 127,89 KB)
PDFSI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 8

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SI1553DL-T1 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max270mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-70-6 (SOT-363)

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

10V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.01V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IRFH4251DTRPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A, 188A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1314pF @ 13V

Leistung - max

31W, 63W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

IRF7752GTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

861pF @ 25V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

ECH8654-TL-HQ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Leistung - max

1.74W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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