SI1404BDH-T1-E3
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| Teilenummer | SI1404BDH-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI1404BDH-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.186 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI1404BDH-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI1404BDH-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SI1404BDH-T1-E3, SI1404BDH-T1-E3 Datenblatt
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SI1404BDH-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.9A (Ta), 2.37A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 238mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.32W (Ta), 2.28W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-6 (SOT-363) |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie FASTIRFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2311pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) Paket / Fall 8-VQFN |
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