Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1071X-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI1071X-T1-GE3
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.070
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI1071X-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1071X-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI1071X-T1-GE3, SI1071X-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 86 KB)
PDFSI1071X-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI1071X-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI1071X-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI1071X-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI1071X-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI1071X-T1-GE3 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI1071X-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI1071X-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1071X-T1-GE3
  • SI1071X-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI1071X-T1-GE3 Stock

  • SI1071X-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI1071X-T1-GE3
  • SI1071X-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1071X-T1-GE3 Price
  • SI1071X-T1-GE3 Distributor

SI1071X-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs167mOhm @ 960mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.3nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds315pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)236mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-89-6
Paket / FallSOT-563, SOT-666

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STB75NF75T4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK7Y72-80EX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

SI5480DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Single

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Single

FDMC86248

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Power33

Paket / Fall

8-PowerTDFN

TSM680P06CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

17W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ITO-220

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Kürzlich verkauft

FXLP34P5X

FXLP34P5X

ON Semiconductor

IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL SC70-5

DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

FT230XS-U

FT230XS-U

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB SERIAL BASIC UART 16SSOP

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

MC9S08LL8CLF

MC9S08LL8CLF

NXP

IC MCU 8BIT 10KB FLASH 48LQFP

MPX5500DP

MPX5500DP

NXP

IC SENSOR PRESS GAUGE 75PSI RANG

0466005.NRHF

0466005.NRHF

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 5A 32VAC/VDC 1206

MBR0520LT1G

MBR0520LT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

SP3003-02JTG

SP3003-02JTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 15V SC70-5

N25Q256A13ESF40G

N25Q256A13ESF40G

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2

CM1213-08MR

CM1213-08MR

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 8.8V 10MSOP

NB-PTCO-157

NB-PTCO-157

TE Connectivity Measurement Specialties

SENSOR RTD 1KOHM 0.001% 2SIP