SI1050X-T1-GE3
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Teilenummer | SI1050X-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI1050X-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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SI1050X-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI1050X-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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SI1050X-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.34A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 1.34A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 4V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 236mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SC-89-6 |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
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