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SI1024X-T1-E3

SI1024X-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1024X-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI1024X-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
Hersteller Vishay Siliconix
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SI1024X-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1024X-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI1024X-T1-E3, SI1024X-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 167,16 KB)
PDFSI1024X-T1-E3 Datenblatt Cover
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SI1024X-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSC-89-6

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

Leistung - max

3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-PowerPair® (6x5)

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 38V

Leistung - max

15.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 16V

Leistung - max

960mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

NTGD3133PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V

Leistung - max

560mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

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