SGW30N60FKSA1
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| Teilenummer | SGW30N60FKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | SGW30N60FKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 41A 250W TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.358 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGW30N60FKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGW30N60FKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGW30N60FKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 112A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 1.29mJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 140nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 44ns/291ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 20A Leistung - max 167W Schaltenergie 650µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/150ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 28A Leistung - max 43W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/120ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 167W Schaltenergie 55µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/40ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 46ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
