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SGS5N150UFTU

SGS5N150UFTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGS5N150UFTU
PNEDA Teilenummer SGS5N150UFTU
Beschreibung IGBT 1500V 10A 50W TO220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGS5N150UFTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGS5N150UFTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGS5N150UFTU, SGS5N150UFTU Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 289,87 KB)
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SGS5N150UFTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5.5V @ 10V, 5A
Leistung - max50W
Schaltenergie190µJ (on), 100µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.10ns/30ns
Testbedingung600V, 5A, 10Ohm, 10V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

770µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/199ns

Testbedingung

400V, 20A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

TIG056BF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 240A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/140ns

Testbedingung

320V, 240A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FI(LS)

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/130ns

Testbedingung

850V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

17ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

FGA6065ADF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

306W

Schaltenergie

2.46mJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25.6ns/71ns

Testbedingung

400V, 60A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

IGW30N100TFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

412W

Schaltenergie

3.8mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

217nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/535ns

Testbedingung

600V, 30A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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