SE70PGHM3_A/I
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Teilenummer | SE70PGHM3_A/I |
PNEDA Teilenummer | SE70PGHM3_A-I |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 2.9A TO277A |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.640 |
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SE70PGHM3_A/I Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SE70PGHM3_A/I |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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SE70PGHM3_A/I Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Current - Average Rectified (Io) | 2.9A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 7A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2.6µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 20µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F. | 76pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
Lieferantengerätepaket | TO-277A (SMPC) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2200V Current - Average Rectified (Io) 820A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 750A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 40mA @ 2200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AA, A-PUK Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 340pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-128 Lieferantengerätepaket CFP5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-UFDFN Lieferantengerätepaket U-DFN2020-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 3A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 3A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 100pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-262 Lieferantengerätepaket PG-TO263-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |