SE50PAB-M3/I
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| Teilenummer | SE50PAB-M3/I |
| PNEDA Teilenummer | SE50PAB-M3-I |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 5A DO221BC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.352 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SE50PAB-M3/I Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SE50PAB-M3/I |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SE50PAB-M3/I Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.16V @ 5A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 32pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DO-221BC (SMPA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 560mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 33ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 700µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 1050pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket CFP15 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 171A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 20mA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket BG-PB34-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 135°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 2.4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 50A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 125A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 180°C |
