SE30AFJ-M3/6A
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| Teilenummer | SE30AFJ-M3/6A |
| PNEDA Teilenummer | SE30AFJ-M3-6A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 85.092 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 10 - Nov 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SE30AFJ-M3/6A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SE30AFJ-M3/6A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SE30AFJ-M3/6A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | 19pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | DO-221AC (SlimSMA) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 2160A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150mA @ 9000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AE Lieferantengerätepaket BG-D10026K-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 0°C ~ 140°C |
