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SE20AFBHM3/6A

SE20AFBHM3/6A

Nur als Referenz

Teilenummer SE20AFBHM3/6A
PNEDA Teilenummer SE20AFBHM3-6A
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.444
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SE20AFBHM3/6A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSE20AFBHM3/6A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SE20AFBHM3/6A, SE20AFBHM3/6A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 114,68 KB)
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SE20AFBHM3/6A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)2A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 2A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1.2µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.12pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-221AC, SMA Flat Leads
LieferantengerätepaketDO-221AC (SlimSMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

US-FLAT (1.25x2.5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

SD101AW-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123

Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

ES1AHE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JANTX1N5420US

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/411

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, B

Lieferantengerätepaket

D-5B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

S1AHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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