SE12DGHM3/I
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| Teilenummer | SE12DGHM3/I |
| PNEDA Teilenummer | SE12DGHM3-I |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.758 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SE12DGHM3/I Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SE12DGHM3/I |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SE12DGHM3/I Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3.2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 12A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 20µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | 90pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AC (SMPD) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 1.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 900ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 9.5pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-220AA Lieferantengerätepaket DO-220AA (SMP) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 80V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214BA Lieferantengerätepaket DO-214BA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket fSC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
