SE10FDHM3/I
Nur als Referenz
| Teilenummer | SE10FDHM3/I |
| PNEDA Teilenummer | SE10FDHM3-I |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.066 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SE10FDHM3/I Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SE10FDHM3/I |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SE10FDHM3/I Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 780ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-219AB |
| Lieferantengerätepaket | DO-219AB (SMF) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Lieferantengerätepaket SOD-80 MiniMELF Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2000V Current - Average Rectified (Io) 260A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 40mA @ 2000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket BG-PB50ND-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 135°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 40ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3000V Current - Average Rectified (Io) 540A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.08V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Clamp On Paket / Fall DO-200AA, A-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AA, A-PUK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
