SE10DJHM3/I
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| Teilenummer | SE10DJHM3/I |
| PNEDA Teilenummer | SE10DJHM3-I |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SE10DJHM3/I Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SE10DJHM3/I |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SE10DJHM3/I Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 10A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 15µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | 67pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AC (SMPD) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 130pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-220AA Lieferantengerätepaket DO-220AA (SMP) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 540mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 250pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Powermite®3 Lieferantengerätepaket Powermite 3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 480mV @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 6ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-XDFN Lieferantengerätepaket DFN1006D-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 690mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket PMDS Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller ON Semiconductor Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
