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SDT8A120P5Q-13D

SDT8A120P5Q-13D

Nur als Referenz

Teilenummer SDT8A120P5Q-13D
PNEDA Teilenummer SDT8A120P5Q-13D
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 120V 8A POWERDI5
Hersteller Diodes Incorporated
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SDT8A120P5Q-13D Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSDT8A120P5Q-13D
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SDT8A120P5Q-13D, SDT8A120P5Q-13D Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 253,02 KB)
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SDT8A120P5Q-13D Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)120V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If840mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr300µA @ 120V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerDI™ 5
LieferantengerätepaketPowerDI™ 5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-2L

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

JAN1N6844U3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/679

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

600pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

U3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

PMEG3020EPA,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.5mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

150pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

3-HUSON (2x2)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

CUS15S30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

400mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

USC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

TSOD1F10HM RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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