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SDT10S30

SDT10S30

Nur als Referenz

Teilenummer SDT10S30
PNEDA Teilenummer SDT10S30
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.402
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 10 - Nov 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SDT10S30 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSDT10S30
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SDT10S30, SDT10S30 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 615,31 KB)
PDFSDP10S30 Datenblatt Cover
SDP10S30 Datenblatt Seite 2 SDP10S30 Datenblatt Seite 3 SDP10S30 Datenblatt Seite 4 SDP10S30 Datenblatt Seite 5 SDP10S30 Datenblatt Seite 6 SDP10S30 Datenblatt Seite 7 SDP10S30 Datenblatt Seite 8 SDP10S30 Datenblatt Seite 9

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SDT10S30 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Current - Average Rectified (Io)10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 10A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 300V
Kapazität @ Vr, F.600pF @ 0V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketPG-TO220-2-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.41V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

SF35GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

STTH1R04Q

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

1N5401-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

RS3B R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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