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SDT10A45P5-13D

SDT10A45P5-13D

Nur als Referenz

Teilenummer SDT10A45P5-13D
PNEDA Teilenummer SDT10A45P5-13D
Beschreibung SCHOTTKY RECTIFIER PDI5 T&R 5K
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 3.438
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 2 - Dez 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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SDT10A45P5-13D Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSDT10A45P5-13D
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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SDT10A45P5-13D Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Current - Average Rectified (Io)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If470mV @ 10A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr300µA @ 45V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerDI™ 5
LieferantengerätepaketPowerDI™ 5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 60A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-247-2 (Straight Leads)

Lieferantengerätepaket

DO-247

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

CMG03(TE12L,Q,M)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

M-FLAT (2.4x3.8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

AR4PM-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1.8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

55pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SICRB101200TR

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

640pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

C3D10060G-TR

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

29A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

480pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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