SD103BWS-HE3-08
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| Teilenummer | SD103BWS-HE3-08 |
| PNEDA Teilenummer | SD103BWS-HE3-08 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD323 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.672 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SD103BWS-HE3-08 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SD103BWS-HE3-08 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SD103BWS-HE3-08 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 350mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 10ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 20V |
| Kapazität @ Vr, F. | 50pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-76, SOD-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-323 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 2.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.34V @ 7A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 700µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Radial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 600µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall C-16, Axial Lieferantengerätepaket C-16 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/586 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 490mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AB, MELF (Glass) Lieferantengerätepaket DO-213AB (MELF, LL41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 670mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 19.64ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 672pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
