SCT3120ALGC11
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Teilenummer | SCT3120ALGC11 |
PNEDA Teilenummer | SCT3120ALGC11 |
Beschreibung | MOSFET NCH 650V 21A TO247N |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 45.870 |
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SCT3120ALGC11 Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SCT3120ALGC11 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SCT3120ALGC11 Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 21A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 18V |
Vgs (Max) | +22V, -4V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 500V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 103W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247N |
Paket / Fall | TO-247-3 |
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