SCT20N120
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| Teilenummer | SCT20N120 |
| PNEDA Teilenummer | SCT20N120 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.633 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SCT20N120 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SCT20N120 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SCT20N120 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 175W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | HiP247™ |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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