SCT2080KEHRC11
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| Teilenummer | SCT2080KEHRC11 |
| PNEDA Teilenummer | SCT2080KEHRC11 |
| Beschreibung | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.106 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SCT2080KEHRC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SCT2080KEHRC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SCT2080KEHRC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2080pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70FL/MCPH3 Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.85A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.56W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 18.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2720pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 120W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
