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SBRT3M60SA-13

SBRT3M60SA-13

Nur als Referenz

Teilenummer SBRT3M60SA-13
PNEDA Teilenummer SBRT3M60SA-13
Beschreibung DIODE SBR 60V 3A SMA
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 3.366
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SBRT3M60SA-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSBRT3M60SA-13
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SBRT3M60SA-13, SBRT3M60SA-13 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 501,68 KB)
PDFSBRT3M60SA-13 Datenblatt Cover
SBRT3M60SA-13 Datenblatt Seite 2 SBRT3M60SA-13 Datenblatt Seite 3 SBRT3M60SA-13 Datenblatt Seite 4 SBRT3M60SA-13 Datenblatt Seite 5

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SBRT3M60SA-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypSuper Barrier
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If590mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 60V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketSMA
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

24000V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

18V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 24000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

UGE

Lieferantengerätepaket

UGE

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

S1G-LTP

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA, HSMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N4004E-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBRF1050 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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