SBRT20U50SLPQ-13
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| Teilenummer | SBRT20U50SLPQ-13 |
| PNEDA Teilenummer | SBRT20U50SLPQ-13 |
| Beschreibung | DIODE SBR 50V 20A POWERDI5060-8 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 48.462 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SBRT20U50SLPQ-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBRT20U50SLPQ-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
SBRT20U50SLPQ-13, SBRT20U50SLPQ-13 Datenblatt
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SBRT20U50SLPQ-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchSBR |
| Diodentyp | Super Barrier |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 20A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 48ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 350pF @ 50V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI5060-8 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 30mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200nA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 1.6pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Lieferantengerätepaket SOD-80 MiniMELF Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/429 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 45pF @ 12V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket A-PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 8A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 560pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
