SBRT05U20LP-7B
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| Teilenummer | SBRT05U20LP-7B |
| PNEDA Teilenummer | SBRT05U20LP-7B |
| Beschreibung | DIODE SBR X1-DFN1006-2 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.184 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SBRT05U20LP-7B Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBRT05U20LP-7B |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SBRT05U20LP-7B Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | TrenchSBR® |
| Diodentyp | Super Barrier |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 390mV @ 500mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 20V |
| Kapazität @ Vr, F. | 14pF @ 20V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 0402 (1006 Metric) |
| Lieferantengerätepaket | X1-DFN1006-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller SMC Diode Solutions Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 34A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 80µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 730pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket PG-TO247-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
