SBRD8835LT4G
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| Teilenummer | SBRD8835LT4G |
| PNEDA Teilenummer | SBRD8835LT4G |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.724 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SBRD8835LT4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBRD8835LT4G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SBRD8835LT4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 510mV @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1.4mA @ 35V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
