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SBR8E60P5-13

SBR8E60P5-13

Nur als Referenz

Teilenummer SBR8E60P5-13
PNEDA Teilenummer SBR8E60P5-13
Beschreibung DIODE ARRY SBR 60V 8A POWERDI5
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.106
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SBR8E60P5-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSBR8E60P5-13
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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SBR8E60P5-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieSBR®
DiodentypSuper Barrier
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If530mV @ 8A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr580µA @ 60V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerDI™ 5
LieferantengerätepaketPowerDI™ 5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

350µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 35A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 40V

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

93pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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