SBAS16LT3G
Nur als Referenz
| Teilenummer | SBAS16LT3G |
| PNEDA Teilenummer | SBAS16LT3G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SBAS16LT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBAS16LT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SBAS16LT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 25A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.36V @ 55A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 4mA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 400mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 200pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0603 (1608 Metric) Lieferantengerätepaket CST2C Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 120V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
