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SB80W10T-H

SB80W10T-H

Nur als Referenz

Teilenummer SB80W10T-H
PNEDA Teilenummer SB80W10T-H
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V 8A TP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.424
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SB80W10T-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSB80W10T-H
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
SB80W10T-H, SB80W10T-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 334,89 KB)
PDFSB80W06T-P-TL-H Datenblatt Cover
SB80W06T-P-TL-H Datenblatt Seite 2 SB80W06T-P-TL-H Datenblatt Seite 3 SB80W06T-P-TL-H Datenblatt Seite 4 SB80W06T-P-TL-H Datenblatt Seite 5 SB80W06T-P-TL-H Datenblatt Seite 6 SB80W06T-P-TL-H Datenblatt Seite 7

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SB80W10T-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If800mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 50V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
LieferantengerätepaketTP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 20A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

SOT-227

DD81S12KHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F1

DD98N22KHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

98A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.53V @ 300A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25mA @ 2200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GSXD050A015S1-D3

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

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SOT-227

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