S99FL132KI010
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| Teilenummer | S99FL132KI010 |
| PNEDA Teilenummer | S99FL132KI010 |
| Beschreibung | IC FLASH NOR |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.032 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 16 - Feb 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S99FL132KI010 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S99FL132KI010 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S99FL132KI010 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | * |
| Speichertyp | - |
| Speicherformat | - |
| Technologie | - |
| Speichergröße | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 1.8V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Macronix Serie MXSMIO™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 300µs, 3ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (13.5x9) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |
