S5JBHM4G
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| Teilenummer | S5JBHM4G |
| PNEDA Teilenummer | S5JBHM4G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.802 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S5JBHM4G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S5JBHM4G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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S5JBHM4G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 560mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.75mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. 900pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 160ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 250ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 4pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
