S3DHE3/9AT
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Teilenummer | S3DHE3/9AT |
PNEDA Teilenummer | S3DHE3-9AT |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.218 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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S3DHE3/9AT Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | S3DHE3/9AT |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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S3DHE3/9AT Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F. | 60pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Sanken Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 1.2A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.07V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 15ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 190°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1.25A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-57, Axial Lieferantengerätepaket SOD-57 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |