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S3D-13-F

S3D-13-F

Nur als Referenz

Teilenummer S3D-13-F
PNEDA Teilenummer S3D-13-F
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 3A SMC
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 94.872
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S3D-13-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS3D-13-F
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S3D-13-F, S3D-13-F Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 265,88 KB)
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S3D-13-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.15V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.40pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AB, SMC
LieferantengerätepaketSMC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 25A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

S1FLK-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

700mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

DO-219AB (SMF)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RU 4A

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

PMEG1020EV,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

10V

Current - Average Rectified (Io)

2A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

460mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

45pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

CDBV3-40-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SOT-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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