S34MS02G104BHV010
Nur als Referenz
Teilenummer | S34MS02G104BHV010 |
PNEDA Teilenummer | S34MS02G104BHV010_33 |
Beschreibung | IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA |
Hersteller | Cypress Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.318 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
S34MS02G104BHV010 Ressourcen
Marke | Cypress Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | S34MS02G104BHV010 |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- S34MS02G104BHV010 Datasheet
- where to find S34MS02G104BHV010
- Cypress Semiconductor
- Cypress Semiconductor S34MS02G104BHV010
- S34MS02G104BHV010 PDF Datasheet
- S34MS02G104BHV010 Stock
- S34MS02G104BHV010 Pinout
- Datasheet S34MS02G104BHV010
- S34MS02G104BHV010 Supplier
- Cypress Semiconductor Distributor
- S34MS02G104BHV010 Price
- S34MS02G104BHV010 Distributor
S34MS02G104BHV010 Technische Daten
Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
Serie | MS-1 |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
Zugriffszeit | 45ns |
Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 63-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 63-BGA (11x9) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie WS-R Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 80ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-VFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (11.6x8) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
Microchip Technology Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 250ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 32-CDIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 32-CDIP |
Maxim Integrated Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 200ns Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-EDIP |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 1.65V ~ 2.2V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |