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S34MS02G100BHB003

S34MS02G100BHB003

Nur als Referenz

Teilenummer S34MS02G100BHB003
PNEDA Teilenummer S34MS02G100BHB003_33
Beschreibung IC FLASH 2G PARALLEL
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.298
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S34MS02G100BHB003 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS34MS02G100BHB003
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S34MS02G100BHB003 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieAutomotive, AEC-Q100, MS-1
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NAND
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall63-VFBGA
Lieferantengerätepaket63-BGA (11x9)

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MT53D512M64D4NW-062 WT:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Macronix

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

MT48V8M32LFB5-10 TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-VFBGA

Lieferantengerätepaket

90-VFBGA (8x13)

R1LV0108ESN-5SI#S0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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