S34MS01G204BHI013
Nur als Referenz
| Teilenummer | S34MS01G204BHI013 |
| PNEDA Teilenummer | S34MS01G204BHI013_33 |
| Beschreibung | IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S34MS01G204BHI013 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S34MS01G204BHI013 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S34MS01G204BHI013 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | MS-2 |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 1Gb (64M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
| Zugriffszeit | 45ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-BGA (11x9) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOJ |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 90ns Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-CDIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-CDIP |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOP |
Hersteller Microchip Technology Serie SST25 Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 80MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10µs Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
