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S320QR

S320QR

Nur als Referenz

Teilenummer S320QR
PNEDA Teilenummer S320QR
Beschreibung DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S320QR Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS320QR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
S320QR, S320QR Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 731,2 KB)
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S320QR Datenblatt Seite 2 S320QR Datenblatt Seite 3

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S320QR Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)320A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 300A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-205AB, DO-9, Stud
LieferantengerätepaketDO-205AB, DO-9
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-60°C ~ 180°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 50mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA

Lieferantengerätepaket

DO-213AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MPG06MHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

600ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

MPG06, Axial

Lieferantengerätepaket

MPG06

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAS281-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

1.6pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-80 Variant

Lieferantengerätepaket

SOD-80 QuadroMELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

1N5406GP-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAT2402ELSE6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4V

Current - Average Rectified (Io)

110mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

410mV @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1V

Kapazität @ Vr, F.

230pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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