S30ML256P30TFI003
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| Teilenummer | S30ML256P30TFI003 |
| PNEDA Teilenummer | S30ML256P30TFI003 |
| Beschreibung | IC MEMORY FLASH NOR |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.994 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S30ML256P30TFI003 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S30ML256P30TFI003 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S30ML256P30TFI003 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | * |
| Speichertyp | - |
| Speicherformat | - |
| Technologie | - |
| Speichergröße | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Winbond Electronics Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-VFBGA (6.4x10.10) |
Hersteller Adesto Technologies Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 66MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 6ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-LBGA, CSPBGA Lieferantengerätepaket 24-CBGA (6x8) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 6ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-VFBGA Lieferantengerätepaket 54-VFBGA (8x8) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EERAM Technologie EEPROM, SRAM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 1ms Zugriffszeit 400ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
