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S29PL032J70BAI122

S29PL032J70BAI122

Nur als Referenz

Teilenummer S29PL032J70BAI122
PNEDA Teilenummer S29PL032J70BAI122
Beschreibung IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.176
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S29PL032J70BAI122 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29PL032J70BAI122
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S29PL032J70BAI122 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SeriePL-J
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (2M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-VFBGA
Lieferantengerätepaket48-FBGA (8.15x6.15)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-TSOP

MX25R3235FM2IL0

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Hersteller

Macronix

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

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MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

121-WFBGA

Lieferantengerätepaket

121-VFBGA (11x10)

PC28F640J3D75B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

75ns

Zugriffszeit

75ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (16M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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