S29GL512S10FHI010
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| Teilenummer | S29GL512S10FHI010 |
| PNEDA Teilenummer | S29GL512S10FHI010 |
| Beschreibung | IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.008 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29GL512S10FHI010 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29GL512S10FHI010 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29GL512S10FHI010 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-S |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60ns |
| Zugriffszeit | 100ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-Fortified BGA (13x11) |
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Hersteller Insignis Technology Corporation Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-VFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (8x13) |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-TFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (8x12.5) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-CerDip |
