S29GL512P10TFCR10D
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| Teilenummer | S29GL512P10TFCR10D |
| PNEDA Teilenummer | S29GL512P10TFCR10D |
| Beschreibung | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.472 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29GL512P10TFCR10D Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29GL512P10TFCR10D |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29GL512P10TFCR10D Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-P |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
| Zugriffszeit | 100ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 56-TSOP |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 450ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TWBGA (8x10.5) |
Hersteller Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket 28-DIP Module (18.42x37.72) |
