S29GL128S90DHSS23
Nur als Referenz
| Teilenummer | S29GL128S90DHSS23 |
| PNEDA Teilenummer | S29GL128S90DHSS23 |
| Beschreibung | IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29GL128S90DHSS23 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29GL128S90DHSS23 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29GL128S90DHSS23 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-S |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 128Mb (8M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60ns |
| Zugriffszeit | 90ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-FBGA (9x9) |
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Hersteller Toshiba Memory America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND (SLC) Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3L Speichergröße 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (9x13) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 128Kb (16K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 550ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket 4-WLCSP (2x2) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-LFBGA Lieferantengerätepaket 90-WBGA (8x13) |
