S29GL128N11FFVR20
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| Teilenummer | S29GL128N11FFVR20 |
| PNEDA Teilenummer | S29GL128N11FFVR20 |
| Beschreibung | IC FLASH 128M PARALLEL |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.264 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29GL128N11FFVR20 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29GL128N11FFVR20 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29GL128N11FFVR20 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-N |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 110ns |
| Zugriffszeit | 110ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-FBGA (13x11) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie GL-P Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 128Mb (16M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 90ns Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 64-LBGA Lieferantengerätepaket 64-FBGA (13x11) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (13.97x11.43) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 512Kb (32K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 9ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 128-LQFP Lieferantengerätepaket 128-TQFP (14x20) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 576Mb (32M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 144-TFBGA Lieferantengerätepaket 144-µBGA (18.5x11) |
