S29GL01GP11FFIR20
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| Teilenummer | S29GL01GP11FFIR20 |
| PNEDA Teilenummer | S29GL01GP11FFIR20 |
| Beschreibung | IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 96 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S29GL01GP11FFIR20 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S29GL01GP11FFIR20 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S29GL01GP11FFIR20 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-P |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 110ns |
| Zugriffszeit | 110ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-Fortified BGA (13x11) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie VS-R Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 80ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-VFBGA Lieferantengerätepaket 44-FBGA (7.7x6.2) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Mb (512K x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 2.2V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Lieferantengerätepaket 28-SOJ |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 24-PDIP |
