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S29CD032J0RFAM010

S29CD032J0RFAM010

Nur als Referenz

Teilenummer S29CD032J0RFAM010
PNEDA Teilenummer S29CD032J0RFAM010
Beschreibung IC FLASH 32M PARALLEL 80FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.474
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S29CD032J0RFAM010 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29CD032J0RFAM010
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S29CD032J0RFAM010 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieCD-J
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (1M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz75MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite60ns
Zugriffszeit54ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.75V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall80-LBGA
Lieferantengerätepaket80-FBGA (13x11)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (4G x 1)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-TBGA (6x8)

7009L20PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

23A1024T-E/SN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

16MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IS61WV12824-8BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

3Mb (128K x 24)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ns

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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