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S29CD016J1JDGH014

S29CD016J1JDGH014

Nur als Referenz

Teilenummer S29CD016J1JDGH014
PNEDA Teilenummer S29CD016J1JDGH014
Beschreibung IC FLASH 16M PARALLEL 40MHZ DIE
Hersteller Cypress Semiconductor
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S29CD016J1JDGH014 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29CD016J1JDGH014
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
S29CD016J1JDGH014, S29CD016J1JDGH014 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 637,29 KB)
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S29CD016J1JDGH014 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieCD-J
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße16Mb (512K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz40MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite60ns
Zugriffszeit54ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.75V
Betriebstemperatur-40°C ~ 145°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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S70GL02GT11FHB013

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-T

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Gb (256M x 8, 128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (11x13)

IDT71T016SA15PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

IS43R83200D-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP II

CY7C1413KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

CY7C036A-15AC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

288Kb (16K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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