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S29CD016J0JQFM110

S29CD016J0JQFM110

Nur als Referenz

Teilenummer S29CD016J0JQFM110
PNEDA Teilenummer S29CD016J0JQFM110
Beschreibung IC FLASH 16M PARALLEL 40MHZ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 7.488
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S29CD016J0JQFM110 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29CD016J0JQFM110
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S29CD016J0JQFM110 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieCD-J
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße16Mb (512K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz40MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite60ns
Zugriffszeit54ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.75V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall80-BQFP
Lieferantengerätepaket80-PQFP (20x20)

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PC28F00BP30EFA

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Axcell™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

105ns

Zugriffszeit

105ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-TBGA

Lieferantengerätepaket

64-EasyBGA (8x10)

93LC66C-I/SN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-VFBGA

Lieferantengerätepaket

60-VFBGA (8x9)

71321LA20PF

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LQFP

Lieferantengerätepaket

64-TQFP (14x14)

7024S20PF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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